Reducing specific on-resistance for a trench SOI LDMOS with L-shaped P/N pillars
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
High-voltage lateral trench gate SOI-LDMOSFETs
We present a lateral trench gate SOI-LDMOSFET that uses narrow trenches as channels. The lateral trench gate, which allows the channel current to flow laterally on the trench side walls, decreases its on-resistance because it increases the current spreading area of the device. The specific on-resistance ðRspÞ strongly depends on the trench depth, which affects the channel area on the side wall ...
متن کاملNew SOI lateral power devices with trench oxide
We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage a...
متن کاملLDMOS Channel Thermometer Based on a Thermal Resistance Sensor for Balancing Temperature in Monolithic Power ICs
This paper presents a method of thermal balancing for monolithic power integrated circuits (ICs). An on-chip temperature monitoring sensor that consists of a poly resistor strip in each of multiple parallel MOSFET banks is developed. A temperature-to-frequency converter (TFC) is proposed to quantize on-chip temperature. A pulse-width-modulation (PWM) methodology is developed to balance the chan...
متن کاملResistance to Flow in a V-Shaped Bottom Channel
Water flow in open channels is always subject to the resistance to flow and energy dissipation. For design purposes, one of the needed variables is the hydraulic resistance coefficient. For this mean, the influence of cross-sectional shape together with secondary flow cells and lateral distribution of true boundary shear stress have not yet been fully explored. This paper surveys the number of ...
متن کاملمهندسی ناحیه رانشی برای بهبود عملکرد ترانزیستورهای soi ldmos
چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Results in Physics
سال: 2020
ISSN: 2211-3797
DOI: 10.1016/j.rinp.2020.103254